NTJD5121NT1G

品牌：ON
商品目录：绝缘栅场效应管(MOSFET)
通用封装：SC-70-6，SOT-363
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：295mA
最大功率：250mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.6Ω@10V,500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：900pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)：26pF@20V
Vgs-栅源极电压：±20V
最大功率耗散：266mW